بلورات NbTe2 المعدنية المستقرة بيئيا بنسبة 100٪: في شكل كبير ، ديتيلوريد النيوبيوم معدني. على غرار ثنائي كبريتيد الموليبدينوم ، لديه هيكل طبقات (لاميلار) مع اقتران ضعيف بين الطبقات. NbTe2 يعرض السلوك المعدني والموصل الفائق. يخضع للانتقال الموصل الفائق حوالي 1.1 كيلوغرام بالجملة ، ولكن من المتوقع أن يكون أعلى للأوراق الأرق. على عكس المصادر الأخرى ، يتم زراعة بلورات NbTe2 لدينا عن طريق تقنية منطقة التدفق الخالية من العيوب والشوائب (انظر المقارنة بين نقل البخار الكيميائي [CVT] أدناه). وقد مكنت الطبيعة النظيفة والخالية من العيوب الباحثين من مراقبة الموصلات الفائقة النظيفة والانتقالات المرحلية وإجراء قياسات النقل الكمي بثقة في البلورات.

إذا كان بحثك يحتاج إلى عينات NbTe2 مسطحة ذريا لقياسات المجهر المسح الضوئي للأنفاق (STM) ، يرجى الاتصال بنا.

خصائص بلورات NbTe2 من قبل 2Dsemiconductors الولايات المتحدة الأمريكية

طريقة النمو مهمة> منطقة التدفق أو طريقة النمو CVT؟ التلوث بالهاليدات والعيوب النقطية في البلورات المتطبقة هو سبب معروف جيدًا لتقليل حركتها الإلكترونية ، وتقليل استجابة الأنيسوتروبية ، وسوء إعادة التركيب الإلكتروني ، وانبعاث PL المنخفض ، وانخفاض الامتصاص البصري. تقنية منطقة التدفق هي تقنية خالية من الهاليد تستخدم لتوليف بلورات vdW ذات درجة أشباه الموصلات الحقيقية. هذه الطريقة تميز نفسها عن تقنية نقل البخار الكيميائي (CVT) في المجال التالي: CVT هو طريقة نمو سريعة (~ أسبوعين) ولكن تظهر نوعية بلورية سيئة وتصل تركيز العيب إلى نطاق 1E11 إلى 1E12 سم-2. على النقيض من ذلك ، تستغرق طريقة التدفق وقت نمو طويل (~ 3 أشهر) ، لكنها تضمن بلورة بطيئة للتهيئة الذرية المثالية ، ونمو بلورات خالية من الشوائب مع تركيز عيب منخفض بقدر 1E9 - 1E10 سم-2. خلال التحقق فقط بيان أي نوع من عملية النمو هو المفضل. ما لم يذكر خلاف ذلك ، فإن 2Dsemiconductors ترسل بلورات منطقة التدفق كخيار افتراضي.